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シリコン用エッチング装置

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日立ハイテクのシリコン用エッチング装置は、処理圧力0.1Pa以下の高真空領域において、安定した高密度プラズマを生成することが可能なマイクロ波ECR(※1)方式を採用しています。マイクロ波ECR方式は、コイル磁場によるプラズマ分布制御や高さ制御をはじめとする豊富なパラメータにより、広範囲なプロセスウィンドウを実現し、デバイス開発段階から様々なニーズにお応えします。さらに、プラズマ制御技術をチャンバクリーニングに応用することで、安定した量産性能を提供します。

(※1) ECR : Electron Cyclotron Resonance

セクションタイトルM-8000シリーズの特長

M-8000シリーズは、32nm世代以降のハードマスク、シリコン加工に対応したエッチング装置です。
先端デバイスメーカや材料・装置メーカとのJDP(※2)により、ダブルパターニングをはじめとする、新プロセスや、高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲートなどの各種新材料にも対応します。
マイクロ波ECR方式、高速ウェーハ温度制御、高真空制御技術を融合し、同軸チャンバ構造を採用したことにより、優れた寸法制御性、ウェーハ面内均一性を実現しています。また、独自のデータ収集・解析・制御システムにより構成されるAEC(※3)、APC(※4)技術により、生産性の向上に貢献します。

(※2) JDP : Joint Development Program
(※3) AEC : Advanced Equipment Control
(※4) APC : Advanced Process Control

 製品写真：シリコン用エッチング装置M-8000シリーズ
主な仕様
対応ウェーハ径 300mm
装置構成 最大4チャンバ搭載可能

セクションタイトルM-6000シリーズの特長

デジタルモバイル機器、白物家電製品、自動車、鉄道などに用いられるパワー半導体のシリコン加工に対応します。マイクロ波ECR方式の高密度プラズマに加え、低温エッチング技術、TM(※5)バイアス技術の適用により、堆積性の低いクリーンなプロセスの採用が可能となり、滑らかな側壁形状を実現し、高い量産性を提供します。

(※5) TM : Time Modulation

 シリコン用エッチング装置M-6000シリーズ
主な仕様
対応ウェーハ径 150mm、200mm
装置構成 最大2エッチング＋2後処理チャンバ搭載可能

※一部仕様は写真と異なる場合があります。

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テクニカルレポート

日立ハイテクデバイス関連機器の技術情報を掲載しています。