日立UHF-ECRプラズマシリコンエッチング装置　U-8150

特長

45nm世代以降の微細化と高精度化への対応を志向

従来のU-700/7000シリーズに更に歩留向上・生産性向上に踏み込んだ最新技術を導入

• 歩留り向上。
  完全軸対称高速排気／新材料チャンバー／アドバンスト温度制御電極／イオン・ラジカル制御。
• 生産性向上。
  高速・低異物搬送システム／完全スワップキット／In-Situ クリーニング電極。

新フレーム導入

• 4エッチャ搭載可能。

アプリケーション

• シャロートレンチ（STI）、Poly-Si及びメタルゲート電極、High-k材、各種Si材料の加工に対応。