FIBマイクロサンプリング
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高スループット解析を実現します。
急速に微細化が進む半導体デバイスを解析するツールとして「マイクロサンプリング法」（日米特許取得済）を開発しました。
100nm以下の高い位置精度で解析個所の摘出から解析までを1時間程度で行えます。
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対応装置 ： 日立集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
FIBマイクロサンプリングユニットとFIBマイクロサンプリング法
FIBマイクロピラーサンプリング例
数ミリメートル角に切り出した半導体デバイスから、解析個所を含む微小試料（マイクロサンプル）を直接摘出します。集束イオンビームの走査形状を変えることにより、さまざまな形状の試料が摘出できます。
FIBマイクロサンプリング法（日立特許：JP2774884、USP5270552）
FIB-STEMシステム
最大加速電圧40kVのFB-2100と加速電圧200kVのHD-2300を組み合わせた新開発の半導体デバイス評価システムでは、半導体デバイスの故障個所の探索からサブナノメートル領域の構造解析までを数時間で行うことができます。
共用ホルダー（日立特許：JP2842083）
DRAMの観察例
ニードルステージ上のマイクロピラーSEM像観察例
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マイクロピラーサンプルの明視野STEM像観察例
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