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日立微小デバイス特性評価装置 ナノ・プローバ N-6000

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製品写真：日立微小デバイス特性評価装置 N-6000

半導体デバイスの配線・コンタクトに直接接触、1トランジスタの電気特性を直接評価するプローバです。

　

2005年9月 NIKKEI NET特集　時代が読めるハイテク入門
「半導体の特性評価　暮らしの安全と信頼を支える」を掲載

セクションタイトル特長

  • 冷陰極電界放出電子銃を採用しました。高倍率で観察しながらのプロービングが可能です。
  • 本体のプローブユニットは6本対応となっています。お客様の様々な測定ニーズに対応することが可能です。
  • イメージシフトによる像移動量を±100マイクロメートル以上として、ステージを動かさない高位置精度のプロービングを可能にしました。
  • 探針交換をスピーディに行うため、探針交換室を別に設けました。

セクションタイトル仕様

日立微小デバイス特性評価装置 ナノ・プローバ N-6000 製品仕様
項目 内容
プローブユニット ユニット数（探針数） 6
駆動方式 ピエゾ素子使用
微動範囲 5マイクロメートル（X、Y軸）
粗動範囲 5mm（X、Y軸）
探針交換 予備排気可能な探針交換室のストッカからホルダを供給
試料ステージ 位置検出 光学式リニアスケール
試料サイズ 15mm×15mm、厚1mm以下
可動範囲 □15mm
試料交換 予備排気室付き
ベースステージ 可動範囲 各移動ポジションで±5mm
移動ポジション 測定位置、試料交換位置、粗調整位置、探針交換位置
電子光学系 電子銃 冷陰極電界放出形電子銃
加速電圧 0.5kv〜5kv
イメージシフト ±100マイクロメートル以上（WD=15mm）
換気系 自動排気システム
ディスプレイ PC/AT互換機、LCDモニタ
大きさ・質量
項目 幅×奥行き×高さ 質量
本体部 1,190×1,272×1,605mm 780kg
ディスプレイ部 1,000×960×1,200mm 205kg
据え付け条件
項目 内容
室温 15〜25℃
湿度 60%以下
電源 AC100V±10%、5kVA
接地 D種接地（100オーム以下）
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