ナノアート 2002年度作品
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これは、Si [111] の晶帯軸入射の大角度収束電子回折(Large Angle Convergent Beam Electron Diffraction:LACBED)パターンです。 2002年(第58回) 日本電子顕微鏡学会 写真コンクール出展作品 |
試料 : Si単結晶薄膜
測定装置 : 電子顕微鏡 H-9000NAR
加速電圧 : 200 kV
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