日立フラットミリング^TM装置 IM-3000

特長

• 直径約5mmの範囲を均一にスパッタエッチングすることができます。
• 約40/h（スポット）の高ミリングレートを実現しました。
• 応力レス加工を特長とするイオンスパッタリング現象により、機械研磨や切削時に生じやすい細かな傷や歪みを取り除くことができます。
• 加速電圧は0〜6ｋVから選択できますので、鉱物などの硬い試料からダメージを受けやすい高分子試料まで、各種試料の表面加工に適応できます。
• 最大50mm（径）×25mm（高さ）の試料を搭載可能です。
• 卓上型のコンパクト設計です。

仕様

日立フラットミリング装置 IM-3000 製品仕様

項目	内容
使用ガス	Ar（アルゴン）ガス
加速電圧	0〜6kV
放電電流	0〜1mA
ミリングレート	約40/h（Si換算、照射角60°）（スポット）
Ａｒガス流量制御方式	マスフローコントローラ
最大試料サイズ	50mm（径）×25mm（高さ）
試料傾斜	0〜90°
真空排気系	ターボ分子ポンプ（26L/s）＋ロータリーポンプﾟ（135L/min） （50Hz）
	ターボ分子ポンプ（26L/s）＋ロータリーポンプﾟ（162L/min） （60Hz）
電源	単相AC100V (±10%)、1.25kVA　3Pプラグコード