その他のTEM/SEM試料前処理装置

日立イオンスパッタ E-1045

LCDタッチパネルの採用によるワンタッチ操作を実現。
マグネトロン電極の採用で試料を優しくコーティング、「試料の損傷を少なく」というご要望をかなえます。

• 最大試料径：60mm

日立イオンスパッタ E-1010

リング電極とフローティング試料ステージ等の採用により、試料温度上昇、破壊を最小限にしました。カーボンコーティング用付属装置（オプション）も用意しております。

• 最大試料径：50mm（E-1010）

電子顕微鏡試料をイオンミリング法や化学的エッチング法により処理する場合、威力を発揮する前処理研磨装置です。確実に試料位置をセットでき、反射光ならびに透過光により、試料観察が簡単にできます。

セラミックスや半導体材料などをプレート上に、またバルク試料から円筒上に試料を切り出します。試料切削中は試料にダメージを与えない範囲で最大の切削スピードが出せるように負荷が自動的に調節されます。試料切削深さはダイヤルインジケータに表示されます。XY位置決め台光学顕微鏡が標準付属です。

低エネルギー高周波プラズマにより、試料及び試料ホールダの観察前のコンタミネーションを除去する装置です。TEM、SEMの像質、分析能力の向上に寄与し、TEM、SEM試料ホールダやアパーチャなどのクリーニングに効果を発揮します。操作は電子レンジ並みに簡単、分析電顕にさらに貢献できます。

TMP排気による清浄高真空蒸着装置です。ウォーミングアップが不用で、スイッチONでOK。全自動操作で誤操作の心配がありません。TEM、SEMの絞り焼き出しや真空蒸着は勿論、ジンバル試料台、加熱、冷却試料台、電子線加熱蒸発装置、膜厚モニタなども用意してあります。TMPのLow Speed運転、種々なガスを注入し、数Paの低真空雰囲気を作ることができます。作業終了時も冷却待機時間は必要ありません。設置面積は50×70cm、冷却水不用、ロータリーポンプ内蔵のキャスタ付きで移動が自由です。

HPC-30Wの姉妹機、大面積試料ステージを装備したホローカソードオスミウムコータです。内径105mmのホローカソードの中に直径100mmの試料台が絶縁設置されています。オスミウムガスは試料台の下からホローカソード壁面に沿って注入（特許）されるので放電プラズマによって効率良く分解され、分離したOs粒子が試料を万遍無くコートします。コーティング作業はオートとマニュアルの選択が可能、多数試料の一括処理や大きい試料に効果を発揮します。

ホローカソードCVD(特許）の利点を活用した大面積試料対応のオスミウムコータです。内径135mmのホローカソードの壁面に沿ってオスミウムガスを注入します（特許）。OsO4ガスは放電時間の1/10secだけ注入し全量を分解消費する方式なので結晶OsO4の消費が少なく大気汚染の防止にも効果があります。試料ステージの直径は125mm、コーティング厚さのムラは5%以内、4インチウェーハはそのままコーティングでき、多数試料も一括処理でSEM観察が効率良く行えます。

断面研磨（断面観察用）／平面研磨（TEM用）／裏面研磨（SIMS、エミッション顕微鏡用）の3種類の研磨が1台で対応可能です。

• 利用者レベル格差を無くし、再現性のある試料作成が可能です。
• マルチプレップは手作業研磨治具を不要にし、試料のみが直接研磨剤と接触する機構になっています。

微少特定部位のSEM用断面観察試料片作製を短時間・シンプル操作・低ランニングコストで作製できます。観察部位を傷つける事のない独自のスキップケガキ方式により、破断面の仕上がりは極めて端麗です。各種半導体基板材の他、カラーフィルター等FPD用基板材、ハードディスク用基板材、マスク用ガラス材を加工する事ができます。FIB装置の前処理装置として（AMCにて極微小部位の直近で破断〜FIB加工＝FIB装置の加工時間短縮が可能）もご利用いただいております。