超微細構造の観察例 3

　Ｓｉ 基板上に Ｎｉ を蒸着した試料からＦＩＢマイクロサンプリング法でＴＥＭ試料作製し、電子顕微鏡中で加熱しながら反応過程をその場観察しました。
　約３００℃の温度で Ｎｉ が Ｓｉ 基板に拡散する様子が観察されました。　この拡散領域からはＥＤＸ分析で Ｎｉ が検出されますが、電子線回折像、格子像では Ｓｉ と同じパターンが観察されました。
　約３００℃で Ｎｉ が Ｓｉ の結晶構造にあまり影響を与えることなく拡散することを確認する事ができました。
　この手法は、複合材料・新デバイスにおける熱処理効果の評価・解析に有効です。