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超微細構造の観察例 5

 
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CBED法による化合物半導体の極性解析


GaNなどのウルツ鋼型結晶は[0001]方向と[000-1]方向で極性が異なりますが、高分解能像や通常の電子線回折法からこれらを区別することは非常に困難です。 CBED法では、得られた回折ディスクの内部のパターンをシュミレーションパターンと比較することにより、結晶の界面・表面・成長方向がどのような極性であるのかを解析することができます。

CBED(収束電子線回折)法 :
  薄膜化した試料に電子線を収束させることにより回折ディスクパターンを得る手法。
  結晶の対称性・極性・歪量などについての情報を得られます。 


・分析例  GaNの極性解析 

GaNの場合、[0001]方向はGa極性、[000-1]方向はN極性と呼ばれており、結晶性や結晶成長を評価する上で、これらの極性を把握することは重要と言われています。

収束電子線を薄膜試料に入射することにより、スクリーン上に回折ディスクを得ることができます。回折ディスク内部のパターンは、[0002]と[000-2]で明暗が反転しており、結晶の方位による極性の違いを反映しています。これらの回折ディスク内部に見られる複雑なパターンを、シュミレーションにより得られたパターン・構造モデルと比較することにより、GaNの表面及び界面・成長方向がGa/Nどちらの極性であるのかを解析できます。
   
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