微小デバイス特性評価装置"ナノ・プローバ"「Ｎ−６０００」を発売

２００４年１１月１日

　 株式会社 日立ハイテクノロジーズ（執行役社長：林 將章／以下、日立ハイテク）は、近年ますます微細化、微小化が進む半導体デバイスにおいて、９０ｎｍプロセス以降の故障箇所や電気特性をダイレクトに評価できる、微小デバイス特性評価装置"ナノ・プローバ"｢Ｎ−６０００｣を、１１月１０日より発売します。

　 半導体デバイスの故障解析は論理的、電気的診断解析に引き続き、物理的解析が行われます。しかしながら、従来の論理的、電気的診断解析では、故障セルの同定は可能でしたが、物理的解析評価対象である実際の不良トランジスタやさらに詳細な故障解析箇所の特定は極めて困難でした。

　 (株)ルネサステクノロジ殿と(株)日立製作所殿の協力により開発した微小デバイス特性評価装置　"ナノ・プローバ"「Ｎ−６０００｣は、定評ある冷陰極電界放出形電子銃を搭載した走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）内に、先端半径約５０ｎｍの微細なタングステン製のプローブ（探針）６本を配置。ＦＥ−ＳＥＭとプローバを世界で初めて組み合わせた本格的プロービング（探針あて）専用装置です。ＦＥ−ＳＥＭなので高倍率（数万倍）でのリアルタイムで像観察しながらのプロービング（探針あて）が可能であるだけでなく、２００μｍ以上離れた場所にプロービング（探針あて）できるように、ＦＥ−ＳＥＭのイメージシフト量を±１００μｍ以上とし、さらに、試料及びプローブ（探針）は、それぞれ専用の交換室を設け、試料交換及びプローブ（探針）交換が迅速かつ容易に行え、高スループット実現を可能にしました。

　 ＦＥ−ＳＥＭ内に配置された各々６本のプローブ（探針）は、独立に高精度に制御され、トランジスタを構成する｢ソース｣｢ドレイン｣｢ゲート｣｢基板｣等とつながったコンタクトにそれぞれあて、半導体デバイスの実回路上で、直接微小電流リークやしきい値電圧変動などのＭＯＳ特性、コンタクト抵抗などを評価できます。これにより、半導体デバイスの故障箇所が詳細に把握でき、故障解析において、チップの論理的、電気的診断解析と物理分析を橋渡しすることが可能となり、故障解析の著しい効率向上が期待できます。

　 標準価格は ３億５千万円で、年間２０台の販売を見込み、２００５年７月から出荷を開始する予定です。１１月１０日（水）〜１２日（金）に大阪府、千里ライフサイエンスセンターで開催される「ＬＳＩテスティングシンポジウム／２００４」、１２月１日（水）〜３日（金）に千葉市、幕張メッセ（日本コンベンションセンター）で開催される「セミコンジャパン２００４」日立グループブース（１Ｈａｌｌ　１Ｂ−１００１）にて装置の詳細を展示予定です。

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