日立イオンミリング装置 IM4000

IM4000は、試料ホルダを交換することにより、試料上部に配置された遮蔽板端面に沿って平坦な断面を作製する【断面イオンミリング】と、試料表面にアルゴンイオンビームを照射して直径約5mmの広範囲を均一にスパッタリングして機械研磨や切削では取り除けない細かな傷や歪みを除去する【平面イオンミリング】の2つの機能を装備したハイブリッドタイプのイオンミリング装置です。 また、高ミリングレートイオンガンを搭載し、断面ミリングの加工速度300µm/hrを実現しましたので、イオンミリング処理時間を大幅に短縮することができます。 価格： お問い合わせください

特長  仕様

特長

断面イオンミリング/平面イオンミリングに対応したハイブリッドタイプ 断面ミリングの高スループット化を実現（加工時間 1/3*1） 着脱可能な試料ステージユニット 卓上型のコンパクト設計で簡単操作

*1：当社従来製品（E-3500：2005年製）比

応用

亀裂やボイドなど欠陥解析のための断面作製 積層界面や結晶情報の評価/観察のための断面作製 応力に弱い試料（紙/フィルム等）の断面作製 鏡面研磨試料の浅い研磨傷やダレ除去 φ5mmの範囲の広領域評価/観察のための断面作製

仕様

項目 内容 断面ミリングホルダ 平面ミリングホルダ 使用ガス Ar（アルゴン）ガス 加速電圧 0〜6kV 最大ミリングレート （材料Si） 約300µm/hr*2 フラット時：約2µm/hr*3 最大試料サイズ 20（W）×12（D）×7（H）（mm） φ50×25（H）（mm） Arガス流量制御方式 マスフローコントローラ 真空排気系 ターボ分子ポンプ（33L/S）+ロータリーポンプ （135L/min（50Hz）、162L/min（60Hz）） 大きさ 616（W）×705（D）×312（H）（mm） 質量 本体48kg+ロータリーポンプ28kg オプション 加工モニタリング用顕微鏡

	*2：	マスクエッジからSiを100µm突出させて加工した際の最大深さ
	*3：	照射角：60° 偏心：4mm

	設置条件
	項目 内容 室温 15〜30℃ 湿度 45〜85％　結露しないこと 電源 AC100V（±10％）、50/60Hz、1.25kVA 3Pプラグコード 接地 D種接地（100以下）

	お客様準備品
	項目 内容 Arガス 純度99.99％ Arガス圧力 0.03〜0.05MPa Arガス導入配管＊4 1/8インチSUS配管（1/8スウェージロック対応）、調圧器 酸素濃度計＊5 酸素濃度19％以上が確認できるもの 推奨テーブル 1,000（W）×800（D）×700（H）（mm）以上 耐荷重70ｋｇ以上（IM4000のみを設置する場合の下限値）

	*4：	Arガス供給設備（Arガスボンベ）と装置間をつなぐ配管です。 供給設備（Arガスボンベ）用の調圧器と合わせてご準備ください
	*5：	アルゴンガスは窒息性がありますので、設置場所には酸素濃度計および換気設備をご準備ください

	電界放出形走査電子顕微鏡（FE-SEM）ラインアップ
	走査電子顕微鏡（SEM）ラインアップ
	集束イオンビームラインアップ

＊

外観写真は、製品の仕様や構成により異なります

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